Vom 25. bis 28. November 2025 waren wir Teil der 2025 IEEE Transportation Electrification Conference and Expo, Asia-Pacific (ITEC-AP) in Singapur. Unser Doktorand Christian Hanzl stellte seine Ergebnisse zum Thema “Closed-Form Modeling of MOSFET Switching Losses Including Variable Gate-Drain Capacitance and Zero-Voltage Switching” vor. Inhaltlich ging es um folgendes: Für die Bewertung von leistungselektronischen Systemen in langen Simulationen – zum Beispiel in Fahrzyklen – ist ein Schaltverlustmodell nötig, das präzise und recheneffizient zugleich ist.
Genau da haben wir angesetzt.
Unser neues analytisches Modell berücksichtigt zwei oft vernachlässigte Effekte:
- die spannungsabhängige Gate-Drain-Kapazität
- sowie du/dt-bedingte Fehl-Einschaltvorgänge nach der Reverse-Recovery-Phase
Beide lassen sich mit geschlossenen Formeln abbilden. So können Schaltenergien schnell und zuverlässig berechnet werden. Darüber hinaus bieten wir ein weiteres Modell für den Synchrongleichrichter-MOSFET bei Zero-Voltage-Switching (ZVS), welches das physikalische Schaltverhalten kompakt und anwendbar beschreibt. Die Laborergebnisse bestätigen: Unser Ansatz übertrifft in der Genauigkeit andere geschlossene Modelle aus der Literatur – und bleibt dabei effizient.
Den über 230 Teilnehmern wurde bei der Konferenz einiges geboten. Am ersten Abend gab es eine Welcome Reception und ein Get Together. Tag Zwei war gefüllt mit Opening Remarks, Keynote Speakers und Tutorials. Am Folgetag wurden die akzeptierten Papers sowie Poster vorgestellt. Den Abend ließen die Teilnehmer bei einem gemeinsamen Bankett ausklingen. Am letzten Konferenztag wurden Laborführungen angeboten.
In Erinnerung bleiben uns interessante Gespräche, spannende Vorträge und eine aufregende Stadt.
